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（a）当ZnO/Au界面为肖特基接触时，｜用各种应变下Li掺杂薄膜的I-V特性，｜用插入是界面为欧姆接触时的I-V特性;（b）在单个Au/ZnO/=Au单元的应变下的带结构变化。结果表明，电侧的超低Li掺杂薄膜压电装置在实际应用中具有良好的应用前景。

薄膜阵列感测程序可以通过一个连续的薄膜完成，年度该薄膜绕过感测层的光刻过程，年度因此感测层可以沉积得更厚，以便从平面内到外面的方向传递更多的变形，以进一步增强压电元件效果和敏感度。总共40×40传感器布置在12×12mm2的区域内，转让这是目前面内应变传感装置的最高空间分辨率。在每个传感单元上进行校准后，交易交易通过传感器阵列成功地测量并映射了应用于器件上的应变分布，交易交易这显示了基于薄膜的压电式晶体管阵列在高空间分辨率，高灵敏度场的变形传感应用中的巨大潜力。

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｜用将元素Li掺杂到ZnO薄膜中以增强薄膜的压电效应。该多级结构的介观尺度特殊排列决定了材料的性能，电侧的超低且纳米尺度微纤结构对材料的力学性能影响最大。

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